onsemi MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 29 A, 110 mΩ, 34 nC, 3ピン, パッケージ:TO-247

ボリュームディスカウントを利用できます

あと210個追加すると¥26,145お得になります

一括購入価格オプションを表示

30個小計 (スティック詰め)*

¥46,920

(税抜)

¥51,612

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 280 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
割引額
30 - 208¥1,564.00-
210 - 278¥1,439.50¥26,145
280 - 358¥1,318.00¥68,880
360 +¥1,193.50¥133,380

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
202-5707P
メーカー型番:
NTHL160N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1.2kV

シリーズ

NTH

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

119W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

最大ゲートソース電圧Vgs

25V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

幅

4.82mm

高さ

20.82mm

長さ

15.87mm

自動車規格

なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO-247-3L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO-247-3L


ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 17 A 及び 1200 V で動作します。無停電電源、 DC/DC コンバータ、ブーストインバータで使用できます。

160 m Ω のドレイン - ソース間の抵抗

超低ゲート電荷

アバランシェ100 %テスト済み

鉛フリー

RoHS対応

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。