Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 15 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB17N80E-GE3

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梱包形態
RS品番:
204-7227
メーカー型番:
SIHB17N80E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

15A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

SiHB17N80E

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

290mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

122nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

208W

動作温度 Max

150°C

幅

4.83 mm

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

高さ

15.88mm

自動車規格

なし

Vishay E シリーズパワー MOSFET は、低性能指数（ FOM ）の Ron x Qg と低入力静電容量（ CISS

超低ゲート電荷(Qg)

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

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