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Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

RS品番:: 200-6840
メーカー型番:: SIDR638DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:: 200-6840
メーカー型番:: SIDR638DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	TrenchFET Gen IV
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.16mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	204nC
	最大許容損失Pd	125W
	順方向電圧 Vf	1.1V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	0.61mm
	長さ	6.15mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ TrenchFET Gen IV
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.16mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 204nC
	最大許容損失Pd 125W
	順方向電圧 Vf 1.1V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 0.61mm
	長さ 6.15mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Document- SIDR638DP-T1-RE3

Vishay SIDR638DP-T1-RE3 は、 40 V （ D-S ） N チャンネル MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

上面冷却を採用し、熱伝達領域を拡大

100 % Rg及びUISテスト済み

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Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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