Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIDR140DP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
204-7236
メーカー型番:
SIDR140DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiDR140DP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.67mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

113nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

125W

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

0.61mm

幅

5.15 mm

長さ

6.15mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 25 V （ D-S ） MOSFET は、 TOP サイド冷却機能を備えており、熱伝導をさらに強化します。Qg 、 Qgd 、 Qgd/Qgs 比は、スイッチング関連の電力損失を低減します。

Vishay N チャンネル 25 V （ D-S ） MOSFET は、 TOP サイド冷却機能を備えており、熱伝導をさらに強化します。Qg 、 Qgd 、 Qgd/Qgs 比は、スイッチング関連の電力損失を低減します。

100 % Rg及びUISテスト済み

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

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