Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 16 A, 68 mΩ, 51 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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梱包形態
RS品番:
204-7249
メーカー型番:
SIHF068N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

16A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

EF

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

68mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

51nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

39W

動作温度 Max

150°C

長さ

28.6mm

高さ

4.6mm

規格 / 承認

RoHS

幅

10mm

自動車規格

なし

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流16 A - SIHF068N60EF-GE3


このパワーMOSFETは、堅牢な電圧処理とスルーホール実装が必要な電力変換および制御回路で使用するために設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、持続ドレイン電流と制御されたゲートドライブ特性を必要とする用途に適しており、従来の基板アセンブリ用のTO-220スルーホールパッケージに収められています。

特長:


• 高電圧スイッチング用途向けの600Vドレイン電圧
• 16 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理を実現
• 68mΩ Rds(on)により、導通損失を低減
• 標準ゲート電荷 51nC により、予測可能なスイッチング制御が可能
• 熱計画用の最大消費電力:39W
• さまざまなゲートドライブ振幅に対応するゲート許容差±30V

用途


• 産業用電源コンバータおよびインバータに最適
• 高電圧モーター駆動ステージに最適
• スルーホール取り付けを必要とする電源に使用
• 照明コントローラーのスイッチングエレメントに使用可能
• テストリグやレガシーハードウェアの修理に最適

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°Cで動作するように設計されており、温度変動が広い環境での使用が可能です。

このパッケージは、密集した基板の熱管理にどのように役立ちますか?


TO-220スルーホールフォーマットにより、ヒートシンクを露出タブに取り付けることができ、適切に取り付けられた場合に最大39Wの定格消費電力を向上させます。

スイッチング性能を確保するため、ゲート駆動ではどのような点を考慮する必要がありますか?


ドライバをサイズ化する際に、目的の立ち上がり / 立ち下がり時間と、ターゲット周波数でのスイッチング損失を考慮する必要があります。

どのようなチャンネルと導通モードを使用しますか?


エンハンスメントモードで動作するNチャンネルデバイスで、導通にはポジティブゲートソースドライブが必要です。

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