Vishay MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 13 A, 0.084 Ω, 63 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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RS品番:
279-9908
メーカー型番:
SIHF085N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

EF

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.084Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

最大許容損失Pd

35W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

10.1mm

自動車規格

なし

VishayシリーズEF MOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流13A - SIHF085N60EF-GE3


このMOSFETは、スルーホールアセンブリの電源スイッチングおよび制御段階向けの高電圧Nチャンネル強化装置です。幅広い温度範囲で動作しながら、高いドレイン-ソース間ストレスに対応できるように設計されており、堅牢なスイッチングと熱耐性を必要とする要求の厳しい電子システムに適しています。

特長:


• 600V ドレイン容量により、高電圧スイッチング用途を実現
• 連続ドレイン電流 13A により、継続的な電力供給に対応
• 0.084Ωの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 35Wの消費電力により、適度な熱負荷をサポート
• 63 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• Vgs定格±30Vにより、堅牢なゲートドライブ許容差を実現

用途


• 高電圧電力コンバータおよびインバータに適合
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• スルーホール取り付けが必要な電源と併用
• 産業機器のスイッチング電源に使用可能
• レガシー電源システムのプロトタイプや修理作業に最適

どのような取り付けスタイルが必要で、熱処理にどのような影響を与えますか?


TO-220スルーホールパッケージを採用し、ヒートシンクへのボルト接続を可能にし、放熱性を向上させ、プリント基板を簡単に組み立てることができます。

効率的なスイッチングには、どのようなゲート駆動に関する考慮事項が必要ですか?


ドライバを設計して、標準的な63nCのゲート充電に十分な電荷を供給し、±30Vの限界に近い過剰なゲートストレスを回避しながら、必要な立ち上がり/立ち下がり時間を実現します。

このデバイスは極端な温度条件下でどのような性能を発揮しますか?


定格動作温度は-55°C~150°Cで、電気特性を維持しながら、大きな熱変動のある環境での使用が可能です。

ダイオード伝導経路に関連する順方向伝導特性は何ですか?


順方向電圧仕様は1.2 Vで、スイッチングや逆電流イベント中にボディダイオードの伝導が発生した場合に損失計算を提供します。

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