STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 5.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223
- RS品番:
- 204-9958
- メーカー型番:
- STN6N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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| 40000 - 56000 | ¥48.721 | ¥194,884 |
| 60000 - 76000 | ¥47.983 | ¥191,932 |
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- RS品番:
- 204-9958
- メーカー型番:
- STN6N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| シリーズ | STN6N60M2 | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.25Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 最大許容損失Pd | 6W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.8mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.48 mm | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
シリーズ STN6N60M2 | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.25Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
最大許容損失Pd 6W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.8mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.48 mm | ||
高さ 1.8mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
STMicroelectronics デバイスは、 MDmesh M2 テクノロジーを使用して開発された N チャンネルパワー MOSFET です。ストリップレイアウトと垂直構造の改善により、オン抵抗が低く、スイッチング特性が最適化されており、最も過酷な高効率コンバータに適しています。
超低ゲート電荷
優れた出力静電容量( COSS )プロファイル
アバランシェ100 %テスト済み
ツェナー保護
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