Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 167 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8
- RS品番:
- 210-5035
- メーカー型番:
- SQJ142EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ¥67.419 | ¥202,257 |
| 6000 - 27000 | ¥67.004 | ¥201,012 |
| 30000 - 42000 | ¥65.917 | ¥197,751 |
| 45000 - 57000 | ¥64.82 | ¥194,460 |
| 60000 + | ¥63.733 | ¥191,199 |
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- RS品番:
- 210-5035
- メーカー型番:
- SQJ142EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 167A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | SQJ142EP | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最大許容損失Pd | 191W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 幅 | 6.25 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 167A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ SQJ142EP | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
最大許容損失Pd 191W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1.1mm | ||
幅 6.25 mm | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive N チャンネル 40 V ( D-S ) 175 ° C MOSFET は、 PowerPak SO-8L パッケージタイプで、ドレイン電流が 167 A です。
TrenchFET Gen IV パワー MOSFET
AEC-Q101認定
100 % Rg及びUISテスト済み
Qgd/qgs < 1 でスイッチング特性を最適化
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