Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 66 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8
- RS品番:
- 210-5044
- メーカー型番:
- SQJ150EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 75000 - 147000 | ¥45.463 | ¥136,389 |
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- RS品番:
- 210-5044
- メーカー型番:
- SQJ150EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 66A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | SQJ150EP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 65W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 6.25 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 66A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ SQJ150EP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 65W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 6.25 mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive N チャンネル 40 V ( D-S ) 175 ° C MOSFET は、 PowerPak SO-8L パッケージタイプで、ドレイン電流が 66 A です。
TrenchFET Gen IV パワー MOSFET
AEC-Q101認定
100 % Rg及びUISテスト済み
Qgd/qgs < 1 でスイッチング特性を最適化
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