Infineon MOSFET, Nチャンネル, 150 V, 87 A, 9.3 mΩ, 10 nC, 8ピン, パッケージ:SuperSO

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梱包形態
RS品番:
214-4325
メーカー型番:
BSC093N15NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

87A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

OptiMOS 5

パッケージ型式

SuperSO

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.3mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

139W

動作温度 Max

150°C

高さ

1.2mm

幅

6.1mm

長さ

5.35mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

インフィニオンOptiMOS 5シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 150V、最大連続ドレイン電流 87A - BSC093N15NS5ATMA1


このMOSFETは、小型表面実装アセンブリの電力スイッチングおよび電力変換用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、低背の基板レイアウトに適合しつつ、高い電流処理能力と効率的なスイッチングが求められる用途向けに設計されています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 150V により、高電圧動作が可能
• 最大 Rds(on) 9.3mΩ により、導通損失を低減
• 87A の連続ドレイン電流により、大負荷電流に対応
• 標準ゲート電荷 10nC により、高速なスイッチング遷移が可能
• 最大許容電力 139W により、熱負荷に対応

用途


• DC-DCコンバータのスイッチング段に適合
• 大電流の配電モジュールに最適
• 産業用システムのスイッチング電源に使用
• 電力コンバータの同期整流に使用可能

自動実装にはどのようなパッケージタイプが想定されますか?


標準的なピックアンドプレースおよびリフロー工程に対応するSuperSO表面実装パッケージで提供されます。

熱性能は周囲条件とどのように関係していますか?


このデバイスは、規定の熱管理条件下で最大 139W を放散できます。

実際の放散量は、プリント基板の銅箔、ヒートシンク、周囲温度によって異なります。

考慮すべきゲート駆動の制約は何ですか?


ゲート-ソース間の許容電圧は ±20V のため、損傷を避けるにはゲート駆動電圧をこの範囲内に保つ必要があります。

このデバイスはどの程度の環境温度範囲に耐えられますか?


幅広い条件に対応するため、ジャンクション温度 -55°C~150°C で動作するよう規定されています。

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