Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 49 A, 11.7 mΩ, 15 nC, 8ピン, パッケージ:SuperSO
- RS品番:
- 214-4328
- メーカー型番:
- BSC117N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋15個入り) 小計:*
¥3,228
(税抜)
¥3,551
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 13,200 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 15 - 285 | ¥215.20 | ¥3,228 |
| 300 - 2385 | ¥186.667 | ¥2,800 |
| 2400 - 3135 | ¥162.60 | ¥2,439 |
| 3150 - 3885 | ¥137.20 | ¥2,058 |
| 3900 + | ¥113.067 | ¥1,696 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 214-4328
- メーカー型番:
- BSC117N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 49A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | SuperSO | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 11.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 50W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5.35mm | |
| 高さ | 1.2mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 49A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 SuperSO | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 11.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 50W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5.35mm | ||
高さ 1.2mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンOptiMOS 5シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 80V、連続ドレイン電流 49A - BSC117N08NS5ATMA1
このMOSFETは、小型電子アセンブリでの大電流スイッチング用に設計された表面実装Nチャンネルパワートランジスタです。幅広い周囲温度範囲で動作し、効率的な導通と高速スイッチング特性が求められる用途に適しています。このデバイスは8ピンSuperSOパッケージで提供され、低オン抵抗と高いドレイン電流能力が求められる用途向けです。
特長:
• 11.7mΩ のRds(on)により、導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 49A により、高負荷に対応
• 高電圧スイッチング向けのドレイン-ソース間定格電圧 80V
• ゲート電荷 15nC により、応答性の高いスイッチング制御を実現
• 最大許容電力 50W により、信頼性の高い熱性能を実現
• 連続ドレイン電流 49A により、高負荷に対応
• 高電圧スイッチング向けのドレイン-ソース間定格電圧 80V
• ゲート電荷 15nC により、応答性の高いスイッチング制御を実現
• 最大許容電力 50W により、信頼性の高い熱性能を実現
用途
• 電子機器の高効率電源に適合
• DC-DCコンバーターおよび同期整流に最適
• 高い電流容量を必要とするモーターコントローラに使用
• 通信機器およびサーバーの配電に使用可能
• 小型で高密度な表面実装アセンブリに適合
• DC-DCコンバーターおよび同期整流に最適
• 高い電流容量を必要とするモーターコントローラに使用
• 通信機器およびサーバーの配電に使用可能
• 小型で高密度な表面実装アセンブリに適合
動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?
-55°C~150°C で動作するよう規定されており、過酷な温度条件に対応します。
パッケージは基板レベルの設計にどのように役立ちますか?
SuperSOの8ピンレイアウトと 1.2mm の低背設計により、高密度な部品配置と低インダクタンスの配線が可能です。
導通時の標準的な順方向電圧はどのくらいですか?
このデバイスは、規定の導通条件下で 1.1V の順方向電圧を示し、導通損失の計算に影響します。
設計上、許容すべき最大ゲートストレスはどのくらいですか?
最大ゲート-ソース間定格電圧を超えないよう、ゲートは ±20V 以内で駆動する必要があります。
関連ページ
- Infineon MOSFET 80 V 11.7 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO
- Infineon MOSFET 150 V 16 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO
- Infineon MOSFET 150 V 9.3 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO
- Infineon MOSFET 80 V 5.2 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO
- Infineon MOSFET 150 V 9.2 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 40 V 0.7 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 30 V 0.7 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 60 V 9.2 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO
