Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 80 V, 40 A, 9.4 mΩ, 14.1 nC, 8ピン, パッケージ：PQFN
- RS品番:
- 214-4341P
- メーカー型番:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|
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| 2400 - 3135 | ￥255.267 |
| 3150 - 3885 | ￥235.60 |
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- RS品番:
- 214-4341P
- メーカー型番:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.4mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14.1nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 69W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.4mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14.1nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 69W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
OptiMOSTM 5パワーMOSFETのロジックレベルは、小型パッケージで低RDS(オン)を実現
InfineonのOptiMOSTM 5パワーMOSFETロジックレベルは、ワイヤレス充電、アダプタ、通信用途に最適です。デバイスの低ゲート充電(Q g)により、導電損失を損なうことなくスイッチング損失を削減します。改善されたメリットフィギュアにより、高いスイッチング周波数での動作が可能です。さらに、ロジックレベルドライブは、低ゲートしきい値電圧(V GS(th))により、MOSFETを5 Vでマイクロコントローラから直接駆動できます。