Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 96 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計：*

￥2,336,400.00

(税抜)

￥2,570,040.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年6月01日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2000 - 2000￥1,168.20￥2,336,400
4000 - 18000￥1,159.302￥2,318,604
20000 - 28000￥1,138.598￥2,277,196
30000 - 38000￥1,117.893￥2,235,786
40000 +￥1,097.208￥2,194,416

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
214-4423
メーカー型番:
IPT111N20NFDATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

96A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

OptiMOS 3

パッケージ型式

HSOF

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

375W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

65nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

2.4mm

長さ

10.1mm

規格 / 承認

No

幅

10.58 mm

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS 3 MOSFET は、最高の効率、卓越した EMI 動作、最高の温度特性、省スペースが求められる、高出力の用途に最適なソリューションです。

RoHS に準拠しています

関連ページ