Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 190 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF-8

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RS品番:
249-3348
メーカー型番:
IPT039N15N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

190A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

HSOF-8

シリーズ

IPT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon Optimos 5パワーMOSFETはNチャンネルMOSFETで、低いオン抵抗と優れた耐熱性を提供します。このデバイスは鉛とハロゲン未使用です。表面実装のPG-HSOF-8パッケージに収められています。

ドレイン・ソース間電圧（Vdss）：150 V

連続ドレイン電流(Id)@25℃：21A(Ta)、190A(Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V／10V

動作温度：-55°C → 175°C (TJ)

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