Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 174 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF-8

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計:*

¥1,301,866.00

(税抜)

¥1,432,052.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月25日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2000 - 2000¥650.933¥1,301,866
4000 - 18000¥641.361¥1,282,722
20000 - 28000¥631.788¥1,263,576
30000 - 38000¥622.216¥1,244,432
40000 +¥612.643¥1,225,286

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
249-3350
メーカー型番:
IPT044N15N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

174A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

HSOF-8

シリーズ

IPT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon Optimos 5パワーMOSFETはNチャンネルMOSFETで、低いオン抵抗と優れた耐熱性を提供します。このデバイスは鉛とハロゲン未使用です。表面実装のPG-HSOF-8パッケージに収められています。

Vds(ドレイン-ソース間電圧):150V

Rds(最大オン)は4.4mΩ、Idは174A

Qdss値とQg値はそれぞれ188 nCと67 nC

関連ページ