Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 126 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON
- RS品番:
- 214-8985
- メーカー型番:
- BSZ025N04LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 50000 - 70000 | ¥90.018 | ¥450,090 |
| 75000 - 95000 | ¥89.716 | ¥448,580 |
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- RS品番:
- 214-8985
- メーカー型番:
- BSZ025N04LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 126A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | TSDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 37nC | |
| 最大許容損失Pd | 69W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.2mm | |
| 幅 | 6.1 mm | |
| 長さ | 5.35mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 126A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 TSDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 37nC | ||
最大許容損失Pd 69W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.2mm | ||
幅 6.1 mm | ||
長さ 5.35mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 40 V 及び 60 V 製品は、業界最低レベルの R DS ( on )と、高速スイッチング用途に最適なスイッチング動作を備えています。 先進の薄型ウェハ技術により、代替デバイスと比較して、 R DS ( on ) 15 % 低減と性能指数( R DS ( on ) x Q g ) 31 % 低減を実現しています。クラス最高の性能により、効率性、電力密度、コスト効果が向上しています。
100%アバランチ試験済み
優れた熱抵抗
同期整流に最適化
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