Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
215-2501
メーカー型番:
IPD100N06S403ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS-T2

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

128nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

150W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS ® -T2 パワートランジスタは、 DPAK （ TO-252 ）パッケージに収納され、最大ドレインソース電圧 100 V 、 N チャンネル、車載用 MOSFET を備えています。

Nチャンネル - 強化モード

MSL1最大260 °Cのピークリフロー

175 °Cの動作温度

超低 RDSon

超高 ID

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