Infineon MOSFET, Nチャンネル, 700 V, 12.5 A, 360 mΩ, 16.4 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 215-2525
- メーカー型番:
- IPN70R360P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2525
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- IPN70R360P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| シリーズ | 700V CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 360mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 7.2W | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 12.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
シリーズ 700V CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 360mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16.4nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 7.2W | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン 700V CoolMOS P7 シリーズ MOSFET、ドレインソース電圧 700V、連続ドレイン電流 12.5A - IPN70R360P7SATMA1
このMOSFETは、表面実装の電力用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。広い周囲温度範囲で動作し、堅牢な電圧処理、低順方向伝導ドロップ、制御されたゲート駆動を必要とする回路に適しています。このコンポーネントは、基板実装電力段向けのコンパクトなSOT-223パッケージで提供されます。
特長：
• ドレイン定格電圧 700V により、高電圧スイッチングに対応
• 360mΩ Rds(on) により、負荷サイクル中の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 12.5A により、中程度の電力処理に対応
• 16.4nC の標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング挙動が可能
• 0.9V の順方向電圧により、導通時の電圧降下が低減されます。
• 最大 7.2mW の許容電力により、コンパクトなレイアウトにおける熱負荷を抑制
• 360mΩ Rds(on) により、負荷サイクル中の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 12.5A により、中程度の電力処理に対応
• 16.4nC の標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング挙動が可能
• 0.9V の順方向電圧により、導通時の電圧降下が低減されます。
• 最大 7.2mW の許容電力により、コンパクトなレイアウトにおける熱負荷を抑制
用途
• オフラインスイッチング電源に最適
• 高電圧一次側コンバータに最適
• 共振型またはハードスイッチングトポロジで使用されます。
• 産業機器の補助電源レールに使用可能
• 中電流ブーストおよびフライバック段に使用
• 高電圧一次側コンバータに最適
• 共振型またはハードスイッチングトポロジで使用されます。
• 産業機器の補助電源レールに使用可能
• 中電流ブーストおよびフライバック段に使用
安全な動作のために、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
ゲート酸化膜へのストレスを防ぐため、ゲート-ソース間電圧が ±20V を超えないようにデバイスを駆動する必要があります。
このデバイスは、極端な温度条件下でどのように動作しますか?
-55°C〜150°C の範囲で動作するように規定されており、コールドスタート時や高温環境下での使用が可能です（ただし、高温時には Rds(on) の増大が見込まれます）。
熱管理の観点から、どのような取り付け上の考慮事項がありますか？
表面実装 SOT-223 パッケージとして、基板上の十分な銅面積と熱バイアスにより、最大 7.2W の電力制限を遮断することを推奨します。
ゲート電荷によって、必要な駆動条件はどのように変わりますか？
標準 16.4nC のゲート電荷は、ドライブ電流とスイッチング損失を定義し、必要なスイッチング速度に対応するゲートドライバとスナバーの選択に役立ちます。
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