Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 12.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223

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RS品番:
215-2525
メーカー型番:
IPN70R360P7SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

12.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

シリーズ

700V CoolMOS P7

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16.4nC

最大許容損失Pd

7.2W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 700V Cool MOS ™ P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、携帯電話の充電器やノートパソコン用アダプタなど、低消費電力 SMPS 市場に対応し、現在使用されているスーパージャンクション技術に比べて基本的な性能向上を実現しています。このテクノロジーは最高レベルの効率基準を満たし、高電力密度をサポートしているため、非常にスリムな設計に移行できます。最新の CoolMOS ™ P7 は、充電器、アダプタ、照明、テレビなどの消費者市場におけるコスト重視の用途に合わせて最適化されたプラットフォームです

超低 FOMRDS （ on ） * Qg 、 RDS （ on ） * eOSS による超低損失

優れた温度特性

ESD 保護ダイオードを内蔵しています

低スイッチング損失（ eOSS ）

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