Infineon MOSFET, Nチャンネル, 700 V, 3 A, 2 Ω, 3.8 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-223

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RS品番:
222-4921
メーカー型番:
IPN70R2K0P7SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

シリーズ

IPN70R

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16V

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.8nC

最大許容損失Pd

6W

動作温度 Max

150°C

幅

3.7mm

規格 / 承認

No

長さ

6.7mm

高さ

1.8mm

自動車規格

なし

Infineon IPN70RシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧700V、最大連続ドレイン電流3A - IPN70R2K0P7SATMA1


このMOSFETは、高いドレイン・ソース電圧を必要とする回路での表面実装電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。広い温度範囲で動作し、制御されたゲートドライブと消費電力管理が重要な用途向けに設計されています。

特長:


• 700 Vのドレイン・ソース定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 3 Aの連続ドレイン電流により、中程度の電流負荷に対応
• 2Ωの最大RDS(on)により、軽負荷時の導通損失を低減
• 3.8 nCの標準ゲート電荷により、スイッチングエネルギーを最小限に抑制
• 16 Vの最大ゲートソース制限により、標準的なゲートドライブレベルを実現
• 6Wの最大消費電力により、SOT-223の熱管理をサポート

用途


• 高電圧スイッチを必要とする電源に最適
• 中程度の電流要件を持つスイッチモードレギュレータに最適
• 産業用制御機器のラインサイドスイッチングに使用
• 高電圧で動作する照明ドライバーに使用可能
• コンパクトな電源が必要な表面実装アセンブリで使用

動作中にどのような周囲温度に耐えられますか?


-40°C~150°Cまで動作するように設定されています。

このパッケージは、取り付けと熱経路にどのような影響を与えますか?


SOT-223パッケージは表面実装用で、定格損失6Wに適した熱経路を提供します。

安全な動作のためには、どのようなゲートドライブに関する考慮事項が必要ですか?


ゲート電圧は16 Vを超えてはならず、3.8 nCのゲート電荷を守りながら、必要な強化伝導を実現するために制御する必要があります。

設計者は、定格電流での導通損失をどのように考慮すべきですか?


最大2 Ωのドレインソース抵抗を使用して、最大3 Aの連続電流での最悪ケースの導通損失を推定します。

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