Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 44 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF
- RS品番:
- 215-2555
- メーカー型番:
- IPT60R050G7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 2000 - 2000 | ¥636.875 | ¥1,273,750 |
| 4000 - 4000 | ¥627.509 | ¥1,255,018 |
| 6000 - 6000 | ¥618.144 | ¥1,236,288 |
| 8000 - 8000 | ¥608.778 | ¥1,217,556 |
| 10000 + | ¥599.412 | ¥1,198,824 |
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- RS品番:
- 215-2555
- メーカー型番:
- IPT60R050G7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 44A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | HSOF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 50mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 68nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 245W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 44A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 HSOF | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 50mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 68nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 245W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon Cool MOS ™ C7 Gold スーパージャンクション MOSFET シリーズ( G7 )は、 600 V Cool MOS ™ C7 Gold テクノロジーの改善によるメリットをまとめたものです。 4 ピンケルビンソース対応で、 TO-Leadless ( TOLL )パッケージの優れた熱特性により、最大 3 kW の力率補正( PFC )やハイエンド LLC などの共振回路など、高電流ハードスイッチングトポロジに対する SMD ソリューションが可能になります。
クラス最高の FOM R DS ( on ) xE oss 及び R DS ( on ) XQ G を提供
最小フットプリントでクラス最高の R DS ( on )を実現します
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