1 Infineon MOSFETアレイ デュアル, タイプNチャンネル, 21 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8
- RS品番:
- 215-2584
- メーカー型番:
- IRF7831TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
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￥306,540.00
(税抜)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥76.635 | ￥306,540 |
| 8000 - 36000 | ￥76.111 | ￥304,444 |
| 40000 - 56000 | ￥74.802 | ￥299,208 |
| 60000 - 76000 | ￥73.493 | ￥293,972 |
| 80000 + | ￥72.194 | ￥288,776 |
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- RS品番:
- 215-2584
- メーカー型番:
- IRF7831TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFETアレイ | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 21A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 40nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±12 V | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFETアレイ | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 21A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 40nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±12 V | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
幅 4 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFET パワー MOSFET シリーズは、 SO-8 パッケージに収容された最大ドレインソース電圧ネットワーキング及びコンピューティングシステムの用途向けのアプリケーション高周波のポイントオブロード同期バックコンバータを備えています。
RoHS対応
業界をリードする品質
低RDS(ON) @ 4.5 V VGS
アバランシェ電圧 / 電流を完全特性化
超低ゲートインピーダンス