Infineon MOSFETアレイ, Nチャンネル, デュアル, 30 V, 21 A, 3.6 mΩ, 40 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8
- RS品番:
- 215-2584
- メーカー型番:
- IRF7831TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥89.807 | ￥359,228 |
| 8000 - 36000 | ￥89.194 | ￥356,776 |
| 40000 - 56000 | ￥87.66 | ￥350,640 |
| 60000 - 76000 | ￥86.126 | ￥344,504 |
| 80000 + | ￥84.604 | ￥338,416 |
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- RS品番:
- 215-2584
- メーカー型番:
- IRF7831TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFETアレイ | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 21A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 40nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12V | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFETアレイ | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 21A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 40nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12V | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFET パワー MOSFET シリーズは、 SO-8 パッケージに収容された最大ドレインソース電圧ネットワーキング及びコンピューティングシステムの用途向けのアプリケーション高周波のポイントオブロード同期バックコンバータを備えています。
RoHS対応
業界をリードする品質
低RDS(ON) @ 4.5 V VGS
アバランシェ電圧 / 電流を完全特性化
超低ゲートインピーダンス
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