Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 42 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 215-2606
- メーカー型番:
- IRLR2905TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2606
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- IRLR2905TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 42A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 27mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | EIA-481, EIA-541 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 42A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 27mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 48nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 EIA-481, EIA-541 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFET パワー MOSFET シリーズは、 D-Pak パッケージタイプのシングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET です。International Rectifier の Infineon シリーズ第 5 世代 HEXFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積に対するオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。この D パックは、気相、赤外線、ウェーブの各はんだ付けによる表面実装向けに設計されています。
先進のプロセス技術
超低ON抵抗
無鉛
アバランシェ定格一杯です