Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 42 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR4104TRLPBF

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梱包形態
RS品番:
214-9129
メーカー型番:
IRFR4104TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

42A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

59nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

140W

動作温度 Max

175°C

幅

2.39 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

6.22mm

自動車規格

なし

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した繰り返しアバランシェ定格といった特長もあります。これらの特長により、幅広い用途で使用できる、効率と信頼性に優れたデバイスとなっています。

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した繰り返しアバランシェ定格といった特長もあります。これらの特長により、幅広い用途で使用できる、効率と信頼性に優れたデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

MOSFETは鉛未使用

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MOSFETは鉛未使用

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