Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 950 V, 14 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

RS品番:: 217-2535
メーカー型番:: IPD95R450P7ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 950 V, 14 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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個	単価	購入単位毎合計*
2500 - 2500	￥159.093	￥397,733
5000 - 22500	￥156.502	￥391,255
25000 - 35000	￥152.284	￥380,710
37500 - 47500	￥148.066	￥370,165
50000 +	￥143.865	￥359,663

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RS品番:: 217-2535
メーカー型番:: IPD95R450P7ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	14A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	950V
	シリーズ	IPD
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	450mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	35nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	104W
	動作温度 Max	150°C
	長さ	6.73mm
	規格 / 承認	No
	高さ	2.41mm
	幅	6.22 mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 14A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 950V
	シリーズ IPD
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 450mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 35nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 104W
	動作温度 Max 150°C
	長さ 6.73mm
	規格 / 承認 No
	高さ 2.41mm
	幅 6.22 mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - IPD95R450P7ATMA1

Infineon の最新の 950V CoolMOS ™ P7 シリーズは、 950V スーパージャンクション技術の新しいベンチマークを確立し、最高クラスの性能と ART の使いやすさを兼ね備えています。これは、 Infineon が 18 年以上に渡り、スーパージャンクション技術の革新を開拓したことによるものです。

クラス最高の FOM RDS （ on ） eOSS; Qg 、 CISS 、 CossBest-inclass DPAK RDS （ on ） 450 m Ω の削減

± 0.5 V の 3 V かつ最小の VGS （ th ）変動のベストインクラス VGS （ th

クラス 2 （ HBM ）までのツェナーダイオード ESD 保護を内蔵

クラス最高の品質と信頼性