Infineon MOSFET, Nチャンネル, 950 V, 14 A, 450 mΩ, 35 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

2500個小計, 2500のリール巻き:*

¥488,645

(税抜)

¥537,510

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年3月03日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500¥195.458¥488,645
5000 - 22500¥190.69¥476,725
25000 - 35000¥188.392¥470,980
37500 - 47500¥186.15¥465,375
50000 +¥183.96¥459,900

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
217-2535
メーカー型番:
IPD95R450P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

14A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

950V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

450mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Max

150°C

長さ

6.73mm

幅

6.22mm

規格 / 承認

No

高さ

2.41mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IPDシリーズMOSFET、950Vドレインソース電圧、14A連続ドレイン電流 - IPD95R450P7ATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい電気システムのスイッチングおよび電源管理用に設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。産業用および自動車用の幅広い温度範囲で動作し、コンパクトな基板レベル統合のための表面実装TO-252パッケージで提供されます。

特長:


• 950 Vのドレイン・ソース定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 14 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理を実現
• 104Wの消費電力により、負荷時の熱ストレスに対応
• 450 mΩ RDS(on)により、動作中の導通損失を低減
• 35 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 堅牢なゲートドライブをサポートする最大ゲート-ソース電圧20V

用途


• 高電圧電力変換段階に最適
• AEC‐Q101の要件を満たす自動車用電源サブシステムに最適
• 高電圧に対応するスイッチモード電源と併用
• 産業用モータードライブインターフェースに使用可能
• 表面実装フォームファクタを必要とするDC-DCコンバータに使用

信頼性の高い動作温度範囲は?


-55°C~150°Cの連続使用に対応しています。

このデバイスは、プリント基板配線用にどのくらいのピンを備えていますか?


このコンポーネントは、ゲート、ドレイン、ソースの3つの電気接続を備えています。

実装にはどのような取付方式が必要ですか?


適切なはんだパッドに表面実装するように設計されています。

本体ダイオードの順方向電圧はどのくらいですか?


ダイオード順方向電圧は0.9 Vで指定されています。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。