Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 950 V, 14 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
217-2535
メーカー型番:
IPD95R450P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

14A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

950V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

450mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.9V

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35nC

動作温度 Max

150°C

高さ

2.41mm

長さ

6.73mm

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon の最新の 950V CoolMOS ™ P7 シリーズは、 950V スーパージャンクション技術の新しいベンチマークを確立し、最高クラスの性能と ART の使いやすさを兼ね備えています。これは、 Infineon が 18 年以上に渡り、スーパージャンクション技術の革新を開拓したことによるものです。

クラス最高の FOM RDS （ on ） eOSS; Qg 、 CISS 、 CossBest-inclass DPAK RDS （ on ） 450 m Ω の削減

± 0.5 V の 3 V かつ最小の VGS （ th ）変動のベストインクラス VGS （ th

クラス 2 （ HBM ）までのツェナーダイオード ESD 保護を内蔵

クラス最高の品質と信頼性

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