Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 950 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO252-3, IPD95R1K2P7ATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥1,339,125.00

(税抜)

￥1,473,050.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年6月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 +￥535.65￥1,339,125

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
273-2785
メーカー型番:
IPD95R1K2P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

950V

パッケージ型式

PG-TO252-3

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

52W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、950 VのCoolMOS P7 SJ電源デバイスです。最新の950 V CoolMOS P7シリーズは、950 Vスーパージャンクション技術の新しいベンチマークを設定し、クラス最高の性能と最先端の使いやすさを組み合わせています。より高い電力密度設計を実現し、BOMを節約し、組み立てコストを低減します。ESD関連の障害を軽減することで、より高い生産性を発揮します。

生産の問題を軽減

完全に最適化されたポートフォリオ

ドライブやパラレル配置が簡単

ゼナーダイオードESD保護を内蔵

関連ページ