Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 14 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8
- RS品番:
- 217-2604
- メーカー型番:
- IRF7458TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥118.041 | ￥472,164 |
| 8000 - 36000 | ￥115.674 | ￥462,696 |
| 40000 - 56000 | ￥113.363 | ￥453,452 |
| 60000 - 76000 | ￥111.096 | ￥444,384 |
| 80000 + | ￥108.874 | ￥435,496 |
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- RS品番:
- 217-2604
- メーカー型番:
- IRF7458TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.9 mm | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 14A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 39nC | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.9 mm | ||
高さ 1.75mm | ||
長さ 4.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 30 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 SO-8 パッケージに収容されています。
超低ゲートインピーダンス
超低 RDS （ on ）
アバランシェ電圧 / 電流を完全特性化