Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 14 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール4000個入り) 小計：*

￥344,748.00

(税抜)

￥379,224.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年12月07日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
4000 - 4000￥86.187￥344,748
8000 - 36000￥84.459￥337,836
40000 - 56000￥82.771￥331,084
60000 - 76000￥81.116￥324,464
80000 +￥79.493￥317,972

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
217-2604
メーカー型番:
IRF7458TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

14A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

最大許容損失Pd

2.5W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

4.9mm

高さ

1.75mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 30 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 SO-8 パッケージに収容されています。

超低ゲートインピーダンス

超低 RDS （ on ）

アバランシェ電圧 / 電流を完全特性化

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。