Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 1.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
262-6735
メーカー型番:
IRF7465TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

1.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

280mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

2.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

5mm

高さ

1.75mm

幅

4 mm

自動車規格

なし

InfineonパワーMOSFETは、スイッチング損失を軽減するための低ゲートドレイン充電を備えています。高周波DC-DCコンバータとの併用に適しています。

完全に特性化されたアバランシェ電圧及び電流

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