Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 55 V, 18 A, 表面 パッケージTO-252
- RS品番:
- 217-2626
- メーカー型番:
- IRFR5505TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 217-2626
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- IRFR5505TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 110mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 57W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | Lead-Free | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 6.22mm | |
| 幅 | 2.39 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 57W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 Lead-Free | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 6.22mm | ||
幅 2.39 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon - 55V シングル P チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 D-Pak パッケージ入りです。
RoHS対応
低RDS(on)
業界をリードする品質
動的dv/dt定格
高速スイッチング
完全アバランシェ定格
動作温度: 175 °C
PチャンネルMOSFET
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