Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 55 V, 18 A, 110 mΩ, 32 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 217-2627
- メーカー型番:
- IRFR5505TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 217-2627
- メーカー型番:
- IRFR5505TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 55 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 18 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 110 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 32 nC | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 自動車規格 | なし | |
| 高さ | 6.22 mm | |
| 長さ | 6.73 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 57 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 規格 / 承認 | Lead-Free | |
| 幅 | 2.39 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 55 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 18 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 110 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 32 nC | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
自動車規格 なし | ||
高さ 6.22 mm | ||
長さ 6.73 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 57 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
シリーズ HEXFET | ||
規格 / 承認 Lead-Free | ||
幅 2.39 mm | ||
The Infineon -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package.
RoHS Compliant
Low RDS(on)
Industry-leading quality
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
175°C Operating Temperature
P-Channel MOSFET
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