Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 56 A, 表面 パッケージTO-252

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RS品番:
258-3983
メーカー型番:
IRFR2405TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

56A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

16mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

70nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

110W

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon R MOSFETファミリのパワーMOSFETは、実績のあるシリコンプロセスを採用し、DCモータ、インバータ、SMPS、照明、負荷スイッチ、バッテリ駆動などのさまざまな用途をサポートするための幅広いデバイスポートフォリオを設計者に提供します。このデバイスは、さまざまな表面実装及びスルーホールパッケージで提供され、業界標準のフットプリントで設計が簡単です。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

堅牢性の向上

ディストリビューションパートナーから幅広く利用可能

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