Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 119 A, 2.6 mΩ, 45 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 218-2975
- メーカー型番:
- BSC026N04LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 218-2975
- メーカー型番:
- BSC026N04LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 119A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.6mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 45nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大許容損失Pd | 63W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.2mm | |
| 幅 | 6.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5.35mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 119A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.6mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 45nC | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大許容損失Pd 63W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.2mm | ||
幅 6.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5.35mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流119A - BSC026N04LSATMA1
このMOSFETは、表面実装システムの電源スイッチング用に設計された高電流Nチャンネルトランジスタで、幅広い動作条件下でDC-DC変換や同様の電力管理作業に制御された導通を実現します。
特長：
• 最大ドレイン・ソース電圧により40Vシステム動作をサポート
• 非常に低いオン抵抗により、2.6 mΩの導通損失を低減
• 連続ドレイン電流定格により、119 Aの持続負荷処理が可能
• 標準45 nCのゲート電荷により、スイッチングエネルギーと遅延を最小限に抑制
• 消費電力能力により、動作中に63Wの熱処理を実現
• 最大20 Vのゲートソース耐性により、堅牢なドライブマージンを実現
• 非常に低いオン抵抗により、2.6 mΩの導通損失を低減
• 連続ドレイン電流定格により、119 Aの持続負荷処理が可能
• 標準45 nCのゲート電荷により、スイッチングエネルギーと遅延を最小限に抑制
• 消費電力能力により、動作中に63Wの熱処理を実現
• 最大20 Vのゲートソース耐性により、堅牢なドライブマージンを実現
用途
• 電源の高電流DC-DCコンバータに最適
• 自動車用電源モジュールのスイッチングステージに最適
• 低導通損失を必要とするモータドライバハーフブリッジに使用
• 高効率同期整流に使用可能
• コンパクトな表面実装型電源アセンブリに最適
• 自動車用電源モジュールのスイッチングステージに最適
• 低導通損失を必要とするモータドライバハーフブリッジに使用
• 高効率同期整流に使用可能
• コンパクトな表面実装型電源アセンブリに最適
信頼性の高い動作温度範囲は?
-55°C～150°Cの幅広い熱範囲で動作するように設計されています。
コンパクト設計には、どのようなパッケージと取り付け方法が使用されていますか?
表面実装用の8ピンTDSONパッケージで提供されます。
順方向電圧はパワーステージ設計にどのように影響しますか?
導通損失を計算し、ゲートドライブレベルを選択する際には、1 Vの順方向電圧を考慮する必要があります。
このデバイスは、どのようなチャンネルと導通モードを使用しますか?
標準的なMOSFETスイッチング動作を実現するため、エンハンスメントモードで動作するN型チャンネルを採用しています。
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