Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD35N10S3L26ATMA1

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梱包形態
RS品番:
218-3043
メーカー型番:
IPD35N10S3L26ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS-T

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

26mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

71W

動作温度 Max

175°C

高さ

2.41mm

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS ™ -T シリーズ N チャネル車載 MOSFET は、 DPAK （ TO-252 ）タイプパッケージに内蔵されています。スイッチング損失と導電電力損失が低くなっています。

Nチャンネル - 強化モード

MSL1最大260 °Cのピークリフロー

175 °Cの動作温度

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