Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 60 V, 90 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD90N06S407ATMA2

RS品番:: 220-7414
メーカー型番:: IPD90N06S407ATMA2
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 60 V, 90 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD90N06S407ATMA2

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150 - 1190	￥82.50	￥825
1200 - 1590	￥77.00	￥770
1600 - 1990	￥71.80	￥718
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RS品番:: 220-7414
メーカー型番:: IPD90N06S407ATMA2
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFETおよびダイオード
	最大連続ドレイン電流Id	90A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	OptiMOS
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	6.9mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	79W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	43nC
	動作温度 Max	175°C
	長さ	6.73mm
	高さ	2.41mm
	規格 / 承認	No
	幅	6.22 mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード
	最大連続ドレイン電流Id 90A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ OptiMOS
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.9mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 79W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 43nC
	動作温度 Max 175°C
	長さ 6.73mm
	高さ 2.41mm
	規格 / 承認 No
	幅 6.22 mm
	自動車規格 AEC-Q101

Infineon は、新しいOptiMOS技術を使用した55V～60VのNチャネル車載用パワーMOSFETを、さまざまなパッケージと1.5mΩから160mΩまでのRDS（on）で提供します。新しい60V車載用MOSFETは、OptiMOS5技術により、パワーと性能を高めます。OptiMOS 5 は、ドライブや電力変換用途向けに最適化された低導電損失を実現します。小型のリードレスパッケージSSO8（5x6mm2）、S3O8（3x3mm2）により、 DPAK の面積と比べて 50 % 以上の省スペースを実現します。

N チャンネル - 拡張モード

MSL1 最大260°C のピークリフロー

動作温度： 175 ° C

100 % アバランシェ試験済み

超低 RDSon

世界最低の RDS @ 60 V （ on ）

高電流に対応

スイッチングと導電電力の損失を最小限に抑えて高い熱効率を実現

品質と信頼性に優れた堅牢なパッケージ

総ゲート電荷量の最適化により、ドライバ出力段の小型化を実現