STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 1200 V, 36 A, 700 mΩ, 13 nC, 3ピン, パッケージ：Hip-247
- RS品番:
- 219-4228P
- メーカー型番:
- SCTW40N120G2V
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 219-4228P
- メーカー型番:
- SCTW40N120G2V
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 36A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | SCTW40N | |
| パッケージ型式 | Hip-247 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 700mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 278W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 3.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 5.15mm | |
| 高さ | 20.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 15.75mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 36A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ SCTW40N | ||
パッケージ型式 Hip-247 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 700mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 278W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 3.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 5.15mm | ||
高さ 20.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 15.75mm | ||
自動車規格 なし | ||
STの先進的かつ革新的な第2世代Sic MOSFETテクノロジーにより開発されたSTMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET デバイスです。単位面積あたりのオン抵抗が非常に低く、スイッチング性能に優れています。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度にほとんど依存しません。
非常に高いジャンクション温度特性（ TJ = 200 ° C ）
非常に高速で堅牢なボディダイオード
非常に低いゲート電荷量と入力静電容量