Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 550 V, 6.6 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223, IPN50R950CEATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥2,088.00

(税抜)

￥2,296.75

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 100 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 125￥83.52￥2,088
150 - 1350￥74.96￥1,874
1375 - 1725￥67.72￥1,693
1750 - 2225￥59.12￥1,478
2250 +￥50.44￥1,261

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
130-0916
メーカー型番:
IPN50R950CEATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

550V

シリーズ

CoolMOS CE

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

950mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.83V

最大許容損失Pd

5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10.5nC

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

150°C

幅

3.7 mm

長さ

6.7mm

高さ

1.7mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS™ CEパワーMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ