Infineon Nチャンネル ダイオード内蔵40 V 205 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン

SuperSO8 パッケージに収められたInfineon OptiMOS 5 パワー MOSFET は、最新の技術を採用し、パッケージの温度を改善しています。この新しい組み合わせにより、電力密度が高くなり、耐熱性が向上しています。低定格デバイスに比べて、 175 ° C の TJ_MAX 機能は、ジャンクション動作温度が高くなるほど出力が高くなるか、又はジャンクション動作温度が同じでも寿命が長くなります。さらに、安全動作領域（ SOA ）を 20% 向上させます。この新しいパッケージは、通信、モータドライブ、サーバーなどの用途に最適です。

低 RDS （ on ）
同期整流に最適化
SuperSO8パッケージで動作温度 175 ° C
長寿命
最高レベルの効率と電力密度
最高のシステム信頼性
耐熱性

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