Infineon MOSFETおよびダイオード, Nチャンネル, 60 V, 30 A, 23 mΩ, 16.1 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 220-7403
- メーカー型番:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 220-7403
- メーカー型番:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 23mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 36W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16.1nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 23mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 36W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16.1nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 6.22mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 2.41mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSシリーズMOSFET及びダイオード、最大ドレインソース電圧60 V、最大連続ドレイン電流30 A - IPD30N06S4L23ATMA2
このMOSFETおよびダイオードは、過酷な電気環境での高電流用途向けに設計された電源スイッチングデバイスです。内蔵ダイオードを備えたNチャンネルエンハンスメントモードトランジスタで、堅牢な導電性と耐熱性を必要とするシステムでの表面実装実装向けに設計されています。このコンポーネントは、幅広い温度範囲で動作し、車両エレクトロニクスおよび産業用制御用途向けの自動車用ストレス要件を満たすように設計されています。
特長：
• 60 V定格により、中電圧電源レールのスイッチングが可能
• 30Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• 23 mΩのRDS(on)により、負荷時の導通損失を最小限に抑制
• 36Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 16.1 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 1.3Vの順方向電圧により、効率的なダイオード伝導を実現
• 30Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• 23 mΩのRDS(on)により、負荷時の導通損失を最小限に抑制
• 36Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 16.1 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 1.3Vの順方向電圧により、効率的なダイオード伝導を実現
用途
• 自動車用電源管理モジュールに最適
• 車両のDCモーター駆動段に最適
• 高電流コンバータおよびレギュレータと併用
• 産業機器の負荷スイッチングに使用可能
• 耐熱性が求められる表面実装アセンブリに最適
• 車両のDCモーター駆動段に最適
• 高電流コンバータおよびレギュレータと併用
• 産業機器の負荷スイッチングに使用可能
• 耐熱性が求められる表面実装アセンブリに最適
使用時に遵守すべきゲート電圧の制限はどのくらいですか？
このデバイスは、ゲート-ソース間の±16 Vを超えてはならないため、ゲートストレスを防止する必要があります。
このコンポーネントは、どのようなパッケージと取り付けスタイルを使用しますか?
3ピンの表面実装用TO-252パッケージで提供されます。
このデバイスは、極端な温度条件下でどのように動作しますか?
-55°C～175°Cで動作し、幅広い温度環境で使用できます。
どのようなチャンネル伝導方式が実装され、活性化にどのような影響を与えますか?
Nチャンネルエンハンスメントモードを使用しているため、ソースに対して正のゲート電圧が必要です。
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