Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 180 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD65R225C7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
244-0944
メーカー型番:
IPD65R225C7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon CoolMOS C7パワーMOSFETは低RDS(on)/パッケージと、低スイッチング損失による全負荷範囲での効率改善により、技術的に革命的な進歩を遂げました。これらのデバイスは、TO-247で世界最低のRDS(on)19mΩ、TO-220およびD2PAKパッケージで世界最低のRDS(on)45mΩを実現しています。C7の高速スイッチング性能により、100 kHzを超えるスイッチング周波数で動作し、サーバーPFC段階でチタンレベルの効率を実現することができます。

650 V電圧

クラス最高のRDS(on)/パッケージ

出力キャパシタンスの蓄積エネルギー(Eoss)を低減

低ゲート電荷Qg

小小型パッケージまたは部品削減による省スペース化

SMPSとソーラーインバータの両方のアプリケーションで安全性が向上

低伝導損失/パッケージ

低スイッチング損失

軽負荷下で効率を向上

電力密度の向上

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