Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 180 A, 1.2 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252
- RS品番:
- 244-0944
- メーカー型番:
- IPD65R225C7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計:*
¥1,275
(税抜)
¥1,403
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 2,464 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | ¥637.50 | ¥1,275 |
| 50 - 498 | ¥558.50 | ¥1,117 |
| 500 - 998 | ¥479.00 | ¥958 |
| 1000 - 1998 | ¥397.50 | ¥795 |
| 2000 + | ¥319.50 | ¥639 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 244-0944
- メーカー型番:
- IPD65R225C7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 180A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | IPD | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 180A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ IPD | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IPDシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流180A - IPD65R225C7ATMA1
このMOSFETは、過酷な環境での表面実装電源スイッチング用に設計された高電流Nチャンネルトランジスタです。中電圧用途向けの堅牢なドレイン対ソース処理を実現し、広い温度範囲で動作するため、コンパクトで高出力スイッチングが必要な産業および自動車環境に適しています。
特長:
• 最大ドレインソース間電圧40Vで、中電圧回路をサポート
• 180Aの連続ドレイン電流により、高電流スイッチングを実現
• 1.2mΩの低Rds(on)により、導通損失を最小限に抑制
• 81Wの最大消費電力により、持続的な負荷処理を実現
• 80nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 0.9Vの順方向電圧により、負荷時の電圧降下を低減
• 180Aの連続ドレイン電流により、高電流スイッチングを実現
• 1.2mΩの低Rds(on)により、導通損失を最小限に抑制
• 81Wの最大消費電力により、持続的な負荷処理を実現
• 80nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 0.9Vの順方向電圧により、負荷時の電圧降下を低減
用途
• 自動車用配電モジュールに最適
• 高電流DCモーター駆動段に最適
• 電気自動車のバッテリ管理システムに使用
• 産業用電源コンバータに使用可能
• コンパクトな表面実装型電源アセンブリに最適
• 高電流DCモーター駆動段に最適
• 電気自動車のバッテリ管理システムに使用
• 産業用電源コンバータに使用可能
• コンパクトな表面実装型電源アセンブリに最適
どのようなゲートドライブ振幅を安全に適用できますか?
ゲートは、指定された制限内でソースに対して最大20 Vまで駆動できます。
このデバイスは、どのような動作温度範囲に対応していますか?
長時間の使用で-55°C~+150°Cの温度範囲で動作します。
基板アセンブリにはどのような取り付けスタイルがありますか?
表面実装用のTO-252パッケージで提供されます。
自動車認定基準に適合していますか?
自動車部品グレーディングに関するAEC-Q101要件に準拠しています。
製造に環境制限はありますか?
このデバイスは、有害物質を制限するRoHS指令に準拠しています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 40 V 1.2 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 600 V 180 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 600 V 180 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 75 V 3 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 1.4 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 100 V 0.7 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 4.4 A, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 1.7 A, パッケージ:TO-252
