onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 75.4 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計：*

￥307,200.00

(税抜)

￥337,920.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個
単価
購入単位毎合計*
800 - 800￥384.00￥307,200
1600 - 7200￥380.008￥304,006
8000 - 11200￥376.013￥300,810
12000 - 15200￥372.023￥297,618
16000 +￥368.03￥294,424

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
230-9077
メーカー型番:
NTB011N15MC
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

75.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

NTB01

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

136.4W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

37nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

幅

4.83 mm

高さ

15.88mm

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor MOSFET -N チャンネルシールド付きゲートパワートレンチ MOSFET です。ドレイン - ソース間電圧は 150 V です

最適化されたスイッチング性能

最大 RDS （ on ） = 10.9 m Ω @ VGS = 10 V 、 ID = 75.4 A

業界最小の Qrr とソフトなボディダイオードにより、優れた低ノイズスイッチングを実現します

他の MOSFET サプライヤよりも 50 % 低い Qrr

低スイッチングスパイク及び EMI による高効率

スイッチングノイズ / EMIを低減

スイッチング FOM の向上：特に Qgd

100 % UIL テスト済み

スナバ不要、又はスナバ不要

関連ページ