Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 131 A, 3.7 mΩ, 46 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON
- RS品番:
- 222-4617
- メーカー型番:
- BSC037N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示5000個小計, 5000のリール巻き:*
¥931,200
(税抜)
¥1,024,300
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 10,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ¥186.24 | ¥931,200 |
| 10000 - 45000 | ¥182.518 | ¥912,590 |
| 50000 - 70000 | ¥178.861 | ¥894,305 |
| 75000 - 95000 | ¥175.29 | ¥876,450 |
| 100000 + | ¥171.784 | ¥858,920 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 222-4617
- メーカー型番:
- BSC037N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 131A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | OptiMOS-TM5 | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.7mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 46nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 114W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 長さ | 5.35mm | |
| 幅 | 6.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.2mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 131A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ OptiMOS-TM5 | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.7mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 46nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 114W | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max +175°C | ||
長さ 5.35mm | ||
幅 6.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.2mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS-TM5シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧80V、最大連続ドレイン電流131A - BSC037N08NS5ATMA1
このMOSFETは、表面実装電力変換およびスイッチング作業向けに設計された高電流Nチャンネル強化デバイスです。幅広い環境範囲で動作し、過酷な熱条件に対応しながら、産業および電源環境に適した低電圧ドロップと高速ゲート駆動スイッチングを実現します。
特長:
• 80V ドレイン定格により、堅牢な高電圧スイッチングを実現
• 連続ドレイン電流 131A により、大電流に対応
• 3.7mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 114Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 高速スイッチング制御をサポートする46nC標準ゲート充電
• 20Vゲート許容差により、柔軟な駆動電圧を実現
• 連続ドレイン電流 131A により、大電流に対応
• 3.7mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 114Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 高速スイッチング制御をサポートする46nC標準ゲート充電
• 20Vゲート許容差により、柔軟な駆動電圧を実現
用途
• 電源の高出力DC-DCコンバータに最適
• サーバー電源レールの同期整流に最適
• 高い連続電流を必要とするモータードライブステージに使用
• 通信配電およびUPSユニットに使用可能
• 産業システムのコンパクトな表面実装電源モジュールに最適
• サーバー電源レールの同期整流に最適
• 高い連続電流を必要とするモータードライブステージに使用
• 通信配電およびUPSユニットに使用可能
• 産業システムのコンパクトな表面実装電源モジュールに最適
このデバイスは、動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?
-55°C~+175°Cで動作するように設計されています。
このパッケージは、プリント基板レイアウトにどのくらいの電気接続を提供しますか?
このパッケージには、ルーティングおよび熱接続用の8つのピンが露出しています。
設計者は、どのようなパッケージングおよび取り付けフォームファクタを期待する必要がありますか?
表面実装用のTDSONパッケージで提供されます。
一般的な条件下での導通時の順方向電圧はどのくらいですか?
導通条件下での順方向電圧は1.1Vと指定されています。
どのチャンネルタイプとモードがスイッチングの極性と動作を決定しますか?
従来のハイサイドスイッチングまたはローサイドスイッチングに、エンハンスメントモードでNチャンネル構造を採用しています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 80 V 3.7 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
- Infineon MOSFET 80 V 3 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
- Infineon MOSFET 80 V 7.2 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
- Infineon MOSFET 80 V 10.2 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
- Infineon MOSFET 100 V 3.5 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
- Infineon MOSFET 100 V 9.8 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
- Infineon MOSFET 100 V 5.6 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
- Infineon MOSFET 80 V 5.7 mΩ 8ピン, パッケージ:TDSON
