Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 131 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール5000個入り) 小計:*

¥811,960.00

(税抜)

¥893,155.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 10,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
5000 - 5000¥162.392¥811,960
10000 - 45000¥159.147¥795,735
50000 - 70000¥155.958¥779,790
75000 - 95000¥152.844¥764,220
100000 +¥149.787¥748,935

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4617
メーカー型番:
BSC037N08NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

131A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

OptiMOS-TM5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46nC

最大許容損失Pd

114W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.2mm

長さ

5.35mm

自動車規格

なし

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

鉛未使用めっきリード; RoHS準拠

100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性

ハロゲン未使用、IEC61249-2-23準拠

関連ページ