Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 131 A, 3.7 mΩ, 46 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
222-4617
メーカー型番:
BSC037N08NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

131A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

OptiMOS-TM5

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

114W

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

+175°C

長さ

5.35mm

幅

6.1mm

規格 / 承認

No

高さ

1.2mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS-TM5シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧80V、最大連続ドレイン電流131A - BSC037N08NS5ATMA1


このMOSFETは、表面実装電力変換およびスイッチング作業向けに設計された高電流Nチャンネル強化デバイスです。幅広い環境範囲で動作し、過酷な熱条件に対応しながら、産業および電源環境に適した低電圧ドロップと高速ゲート駆動スイッチングを実現します。

特長:


• 80V ドレイン定格により、堅牢な高電圧スイッチングを実現
• 連続ドレイン電流 131A により、大電流に対応
• 3.7mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 114Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 高速スイッチング制御をサポートする46nC標準ゲート充電
• 20Vゲート許容差により、柔軟な駆動電圧を実現

用途


• 電源の高出力DC-DCコンバータに最適
• サーバー電源レールの同期整流に最適
• 高い連続電流を必要とするモータードライブステージに使用
• 通信配電およびUPSユニットに使用可能
• 産業システムのコンパクトな表面実装電源モジュールに最適

このデバイスは、動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?


-55°C~+175°Cで動作するように設計されています。

このパッケージは、プリント基板レイアウトにどのくらいの電気接続を提供しますか?


このパッケージには、ルーティングおよび熱接続用の8つのピンが露出しています。

設計者は、どのようなパッケージングおよび取り付けフォームファクタを期待する必要がありますか?


表面実装用のTDSONパッケージで提供されます。

一般的な条件下での導通時の順方向電圧はどのくらいですか?


導通条件下での順方向電圧は1.1Vと指定されています。

どのチャンネルタイプとモードがスイッチングの極性と動作を決定しますか?


従来のハイサイドスイッチングまたはローサイドスイッチングに、エンハンスメントモードでNチャンネル構造を採用しています。

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