Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 100 A, 3 mΩ, 61 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
170-2311
メーカー型番:
BSC030N08NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

BSC030N08NS5

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

61nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

139W

順方向電圧 Vf

800mV

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

6.35mm

長さ

5.49mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Infineon BSC030N08NS5シリーズ MOSFET、最大ドレイン・ソース間電圧 80V、最大連続ドレイン電流 100A - BSC030N08NS5ATMA1


このNチャネル・エンハンスメント型MOSFETは、表面実装型のパワーエレクトロニクス機器における大電流スイッチング用途向けに設計されています。幅広い温度範囲で動作し、高い電圧と電流を管理するため、過酷な熱・電気環境に適しています。このコンポーネントは、コンパクトな基板レイアウトへの実装に対応し、電力変換やモーター駆動回路での高速スイッチングを実現します。

特長:


• 80Vのドレイン・ソース間定格により、高電圧電源ラインでに対応
• 連続ドレイン電流100Aで、大電流処理に対応
• 3mΩのRds(on)により、負荷経路での導通損失を最小限に抑制
• 139Wの最大許容電力により、大きな熱負荷に対応
• 総ゲート電荷61nCにより、高速なスイッチング遷移を実現
• 20Vのゲート・ソース間電圧上限により、十分なゲート駆動マージンを確保

用途


• 高電流の電源回路に最適
• コンバータの同期整流に最適
• 高速スイッチングが求められるモータ駆動に使用
• 通信機器用電源システムの負荷スイッチングに使用可能
• 小型表面実装電源モジュールに適合

プリント基板のフットプリントでは、どのパッケージタイプを使用できますか?


本デバイスは表面実装用の8ピンTDSONパッケージで提供され、必要に応じて適合するランドパターンやサーマルビアを設ける必要があります。

極端な環境条件にどれ程の耐久性がありますか?


このコンポーネントの定格動作温度は-55°C~150°Cで、温度変化の大きい用途で使用できます。

効率的な動作を実現するために、ゲート駆動回路で考慮すべき点は何ですか?


標準ゲート電荷61nCと最大Vgs 20Vを考慮し、十分なピーク電流を供給でき、ゲート電圧の上限を超えないドライバを選定する必要があります。

順方向電圧は低電圧設計にどのように影響しますか?


本デバイスの順方向電圧は0.8Vで、低電圧・大電流システムにおける導通電圧降下に影響するため、電力損失の算定時に考慮する必要があります。

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