Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 9.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223
- RS品番:
- 222-4686
- メーカー型番:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 30000 - 72000 | ￥30.62 | ￥91,860 |
| 75000 - 147000 | ￥29.84 | ￥89,520 |
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- RS品番:
- 222-4686
- メーカー型番:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | CoolMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| 最大許容損失Pd | 6.3W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ CoolMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.8nC | ||
最大許容損失Pd 6.3W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.8mm | ||
長さ 6.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によって始められました。最新の CoolMOS P7 は、充電器やアダプタ、照明、 TV など、コスト重視の消費者市場向け用途に最適化されたプラットフォームです。
Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によって始められました。最新の CoolMOS P7 は、充電器やアダプタ、照明、 TV など、コスト重視の消費者市場向け用途に最適化されたプラットフォームです。
製品検証対応JEDEC 規格
低スイッチング損失（Eoss）、ESD保護ダイオードを内蔵
優れた温度特性
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低スイッチング損失（Eoss）、ESD保護ダイオードを内蔵
優れた温度特性
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