Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223
- RS品番:
- 217-2544
- メーカー型番:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 75000 - 147000 | ￥27.044 | ￥81,132 |
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- RS品番:
- 217-2544
- メーカー型番:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | IPN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大許容損失Pd | 6.2W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ IPN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大許容損失Pd 6.2W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.7nC | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.8mm | ||
長さ 6.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET は、優れた性能と使いやすさを提供し、フォームファクタと価格競争力を向上させることで、低電力 SMPS 市場の一般的な課題に対応できるように設計されています。SOT-223 パッケージは DPAK の代わりとなるコスト効果の高い 1 対 1 ドロップイン方式で、一部の設計でフットプリントを削減することもできます。標準的な DPAK フットプリントに配置でき、同等の熱性能を発揮します。この組み合わせにより、 SOT-223 の CoolMOS ™ P7 はターゲット用途に最適です。
最高の性能を備えたスーパージャンクション技術
コスト効果の高いパッケージソリューションです
クラス最高の価格 / 性能比
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