STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 72 A, 39 mΩ, 118 nC, 3ピン, パッケージ：TO-247
- RS品番:
- 225-0679P
- メーカー型番:
- STWA68N65DM6AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 225-0679P
- メーカー型番:
- STWA68N65DM6AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 72A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | MDmesh DM6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 39mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 480W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 118nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 15.8mm | |
| 長さ | 40.92mm | |
| 高さ | 5.1mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 72A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ MDmesh DM6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 39mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25V | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 480W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 118nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 15.8mm | ||
長さ 40.92mm | ||
高さ 5.1mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、MDmesh DM6高速回復ダイオードシリーズの一部です。DM6では、従来のMDmesh高速世代と比較して、非常に低い回復電荷（Qrr）、回復時間（trr）、単位面積あたりのRDS（on）の優れた改善と、市場で最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジやZVS位相シフトコンバータに適した、最も効果的なスイッチング動作の1つを兼ね備えています。
高速回復型ボディダイオード
単位面積あたりのRDS(on)を前世代より低減
低ゲートチャージ、低入力容量、低抵抗を実現
100%アバランシェテスト済み
極めて高いdv/dt耐久性
ツェナプロテクト
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