Vishay MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 110 A, 5.6 mΩ, 51 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8
- RS品番:
- 225-9925
- メーカー型番:
- SIR5102DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 225-9925
- メーカー型番:
- SIR5102DP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 110A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | N-Channel 100 V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.6mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 6.25W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 51nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.25mm | |
| 高さ | 5.26mm | |
| 幅 | 1.12mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 110A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ N-Channel 100 V | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.6mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 6.25W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 51nC | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.25mm | ||
高さ 5.26mm | ||
幅 1.12mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。
TrenchFET Gen IV パワー MOSFET
超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）
最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み
100 % Rg及びUISテスト済み
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