Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 137.5 A, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
225-9931
メーカー型番:
SIR5802DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

137.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

N-Channel 80 V

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4mΩ

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

60nC

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.25mm

幅

1.12 mm

高さ

5.26mm

自動車規格

なし

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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