型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 150 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SUM70042E-GE3

RS品番:: 225-9970
メーカー型番:: SUM70042E-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 150 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SUM70042E-GE3

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RS品番:: 225-9970
メーカー型番:: SUM70042E-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	150A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	N-Channel 100 V
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	4.5mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	278W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	84nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.8V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	4.826mm
	規格 / 承認	No
	長さ	15.875mm
	幅	10.414 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 150A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ N-Channel 100 V
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.5mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 278W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 84nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.8V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 4.826mm
	規格 / 承認 No
	長さ 15.875mm
	幅 10.414 mm
	自動車規格なし

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

TrenchFET パワー MOSFET

ジャンクション温度：最大 175 ° C

非常に低い Qgd により、 V （プラトー）の通過による電力損失を低減

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 150 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SUM70042E-GE3

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