型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 18.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, Si4090BDY-T1-GE3

RS品番:: 228-2821
メーカー型番:: Si4090BDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 18.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, Si4090BDY-T1-GE3

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RS品番:: 228-2821
メーカー型番:: Si4090BDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	18.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	10mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	46.5nC
	最大許容損失Pd	7.4W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	高さ	1.75mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 18.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 46.5nC
	最大許容損失Pd 7.4W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	高さ 1.75mm
	自動車規格なし

Vishay TrenchFET N チャンネルパワー MOSFET は、 DC / DC 一次側スイッチ、電気通信 / サーバー、モータドライブ制御、同期整流に使用されます。

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 18.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, Si4090BDY-T1-GE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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