Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 23.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, Si7454FDP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
228-2829
メーカー型番:
Si7454FDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

23.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

29.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

39W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17.4nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.12mm

自動車規格

なし

Vishay TrenchFET N チャンネルパワー MOSFET は、 DC / DC 一次側スイッチ、電気通信 / サーバー、モータドライブ制御、同期整流に使用されます。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

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