Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥267,597.00

(税抜)

￥294,357.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,000 は 2026年1月12日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥89.199￥267,597
6000 - 27000￥88.07￥264,210
30000 - 42000￥86.038￥258,114
45000 - 57000￥84.008￥252,024
60000 +￥81.982￥245,946

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
919-4236
メーカー型番:
SI7454DDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

Si7454DDP

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

47mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.8nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

29.7W

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.25mm

高さ

1.12mm

幅

5.26 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ